เมื่อวันที่ 12 พฤศจิกายน. 2025 ฟอรัมนานาชาติครั้งที่ 11 เกี่ยวกับ Wide Bandgap Semiconductors และฟอรัม China International Forum ครั้งที่ 22 เกี่ยวกับ Solid State Lighting จัดขึ้นอย่างยิ่งใหญ่ในเมืองเซียะเหมิน ในระหว่างงานดังกล่าว "2025 China's Top 10 Advances in Wide Band-Gap Semiconductor Technology" ได้รับการเผยแพร่อย่างเป็นทางการ ในบรรดาความสำเร็จที่ได้รับเลือกคือโครงการชื่อ "การวิจัยเทคโนโลยีหลักในการเพิ่มประสิทธิภาพการเรืองแสงของชิปแหล่งกำเนิดแสงอัลตราไวโอเลตแบบลึก-ที่ใช้ AlGaN- ซึ่งสำเร็จร่วมกันโดย UVLEDTEK, มหาวิทยาลัยวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี Huazhong (HUST) และสถาบันวิจัยเทคโนโลยีอุตสาหกรรม Ezhou ของ HUST
ทีมวิจัยร่วมของ UVLEDTEK ประสบความสำเร็จในการสร้าง-โครงสร้างนาโนไดอิเล็กทริกขนาดเวเฟอร์โดยการออกแบบโครงสร้างอาร์เรย์สะท้อนแสงที่สลักไว้สำหรับชิปอย่างสร้างสรรค์ และบุกเบิกกลยุทธ์การควบคุมโฟตอนการกระเจิงที่ประสานงานกัน ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีที่สำคัญเหล่านี้ได้เอาชนะความท้าทายระดับโลกในการได้รับกำลังขับระดับ-มิลลิวัตต์ในแหล่งกำเนิดแสง LED อัลตราไวโอเลตไกล- ซึ่งทำงานที่ย่านความถี่ 230 นาโนเมตร ในท้ายที่สุด ทีมงานได้พัฒนาแหล่งกำเนิดไฟ LED อัลตราไวโอเลตระดับลึก-ที่ใช้ AlGaN โดยมีความยาวคลื่นสูงสุด 230 นาโนเมตร และกำลังเอาต์พุต 2.8mW ซึ่งแสดงถึงความยาวคลื่นที่สั้นที่สุดที่รายงานจนถึงปัจจุบันสำหรับไฟ LED อัลตราไวโอเลตระดับ-ระดับลึก- มิลลิวัตต์ ซึ่งผลักดันขีดจำกัดประสิทธิภาพของ-แหล่งกำเนิดแสง LED อัลตราไวโอเลตระดับลึกไปสู่ขอบเขตใหม่
ด้วยความยาวคลื่นที่สั้นมากและพลังงานสูง แสงอัลตราไวโอเลตที่มีความลึก 230 นาโนเมตร-สามารถทำลาย DNA/RNA ของจุลินทรีย์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ทำให้เกิดการฆ่าเชื้อที่มีประสิทธิภาพสูง สิ่งที่ปฏิวัติวงการยิ่งกว่านั้นคือสามารถแก้ปัญหาความท้าทายหลักของ "การอยู่ร่วมกันของเครื่องจักร-ของมนุษย์" ในการฆ่าเชื้อด้วยรังสีอัลตราไวโอเลตแบบลึก-แบบดั้งเดิม- เมื่อเปรียบเทียบกับความยาวคลื่น UVC ทั่วไป แถบนี้มีการเจาะเข้าไปในเนื้อเยื่อของมนุษย์ เช่น ผิวหนังและดวงตาได้น้อยกว่า และลดอันตรายที่อาจเกิดขึ้นได้อย่างมาก คุณลักษณะนี้ช่วยให้ทำการฆ่าเชื้อแบบเรียลไทม์-ได้อย่างต่อเนื่องในพื้นที่ที่มีคนอยู่ เช่น โรงพยาบาล โรงเรียน การขนส่งสาธารณะ และสำนักงาน โดยไม่ต้องมีการอพยพ ซึ่งขยายขอบเขตการใช้งานของการฆ่าเชื้อด้วยรังสีอัลตราไวโอเลตได้อย่างมาก นอกจากนี้ แสงอัลตราไวโอเลตที่ลึก 230 นาโนเมตร{-ยังแสดงให้เห็นถึงความไวสูงในการตรวจจับสารเฉพาะ ทำให้มีโอกาสในการใช้งานที่กว้างขวางในสถานการณ์ที่ต้องการความแม่นยำสูงและ-การรับประกันความปลอดภัยของปริมาณรังสีต่ำ เช่น การตรวจจับก๊าซ การวิเคราะห์คุณภาพน้ำ และการตรวจสอบเครื่องมือที่มีความแม่นยำ
การคัดเลือกใน "2025 China's Top 10 Advances in Wide Band-Gap Semiconductor Technology" นี้เป็นการยอมรับที่เชื่อถือได้จากอุตสาหกรรม UVLEDTEK และพันธมิตรในแง่ของความสามารถด้านนวัตกรรมและความแข็งแกร่งด้านการวิจัยและพัฒนาในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์หลัก ในอนาคตข้างหน้า UVLEDTEK จะยังคงเพิ่มการลงทุนด้านการวิจัยและพัฒนา กระชับความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับพันธมิตรด้านการวิจัย-มหาวิทยาลัย-ในอุตสาหกรรม และยังคงมุ่งมั่นที่จะขับเคลื่อนนวัตกรรมอย่างต่อเนื่องและการพัฒนาอุตสาหกรรมในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม- (โดยเฉพาะอย่างยิ่งในสาขาออปโตอิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ bandgap แบบกว้าง-) ซึ่งมีส่วนช่วยเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันระดับโลกของจีนในขอบเขตนี้ และนำอุตสาหกรรมไปสู่ระดับความสูงทางเทคโนโลยีใหม่ ๆ อย่างต่อเนื่อง
